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不同工艺对高压陶瓷电容器的性能影响

发布时间:2012-05-15 16:59:49点击率:

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2013年开年第一件事,美志电容的技术团队开始了做一项重大工艺试验.我们的工作人员设计了几种高压陶瓷电容器工艺改善的方案.通过对这几种不同工艺的产品进行测试,得到了一些最基本的数据.这些数据表明:先进的工艺理论是高压电容器优异性能的保证.

高压电容器40kv102K交流耐压和局部放电测试结果:
试品编号
测试电压(KVac)
局放(PC)
保压测试
A
40
≤5
45
≤10
55
≤40
5S后击穿
B
26
≤5
28
≤15
32
≥20
36
≥100
严重放电
E
42
≤5
44
≤10
45
≤20
50
≤30
55
≤50
2S,OK
a
22
≤5
28
≤10
35
≤15
38
≤30
44
≤40
48
≥150
严重放电
b
36
≤5
38
≤10
46
≤10
55
≤50
2S, OK
严重放电是即将击穿;
波形最好的是A和b;
从以上可以看出,在进行高压陶瓷电容器芯片加工,涂银处理,芯片打磨势光,包封工艺等各个环节中,采用不同的工艺,对电容器的质量产生深远影响.感谢美志技术团队的工作人员科学的态度,严谨的工作精神.这些数据为我们在日后总结使用最先进的工艺流程方面将有极大的帮助.通过这一轮试验,我们的团队又更上一层楼,

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